X型随机存储器，是基于DRAM工艺结合星忆存储公司的TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。
不同于传统的DRAM和SRAM, XRAM 具有以下几个方面的组成：
新型专利技术，使XRAM器件在与DRAM器件同等条件下，具有更高的单片容量；同时，这个技术有助于提高单片晶圆的产出，也相应的降低了成本；此外，XRAM KGD产品会具有更小的芯片面积，这样也易于与主处理器集成，提高系统产品的竞争力。
不仅支持SRAM产品的各种接口，也支持DRAM接口等当下通用的接口类型。RF DRAM的专利技术可以让技术开发人员完全不用理会刷新机制，所有的刷新机制都自动执行，从用户角度，主处理器可以随时访问存储器，而没有任何冲突和等待时间。
不用考虑刷新机制，在进行存储器读写操作时只有很低的延时，这个延时特性是接近SRAM产品的，大概在10ns级别；相比延时较低的RLDRAM，要快4-5倍，如果是DRAM考虑到本身刷新机制的情况，可以达到10倍。这样在实际应用中就可以加快系统的相应速度。
基于DRAM技术，可以提供千兆级别容量的XRAM产品，同时也会是单片容量最大的平面存储芯片，加上接近SRAM产品的读写时间，这些卓越的性能非常适合数据缓存应用。
成本方面：节省30%左右的晶圆面积，相当25%左右的单片晶圆产出；
速度：数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时只有10ns左右；
单片容量：覆盖Megabit到Gigabit；
功耗：可以节省40%左右的存储阵列功耗；
免刷新：从用户端不需要考虑刷新机制，可以随时访问。
