XRAM，是基于DRAM工艺并结合星忆存储公司的TLC DRAM（三态DRAM）和RF DRAM（免刷新DRAM）专利技术研发而成的新型存储器。
星忆为客户提供性能更卓越、面积更小的的IP授权产品，其采用了自主研发的XRAM技术，并结合免刷新机制的KGD、TLD DRAM和RF DRAM的专利技术。
星忆存储拥有一支国际化的团队，在集成电路设计、生产管理领域有着丰富的实践和学术研究经验。我们期待您的加入！
