总投资240亿美元的国家记忆体基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国积体电路存储晶片产业规模化发展“零”的突破。

此次开工的国家记忆体基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁凈面积最大的3DNAND Flash Fab厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片／月，年产值将超过100亿美元。

据介绍，国家记忆体基地项目由紫光集团联合国家积体电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。以晶片制造环节为突破口，集记忆体产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等晶片产业相关环节的发展。记忆体是资讯系统的基础核心晶片，最能代表积体电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的积体电路产品。